收藏本站
Depletion Mode
MOSFET
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
V DSX
I D(on)
R DS(on)
=
>
≤
500V
3A
1.5 Ω
N-Channel
TO-263 AA (IXTA)
Symbol
V DSX
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
500
V
G
S
D (Tab)
V GSX
Continuous
± 20
V
V GSM
P D
Transient
T C = 25 ° C
± 30
125
V
W
TO-220AB (IXTP)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G
DS
D (Tab)
M d
Weight
Mounting Torque (TO-220)
TO-263
TO-220
1.13 / 10
2.5
3.0
Nm/lb.in.
g
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Features
? Normally ON Mode
? International Standard Packages
? Molding Epoxies Meet UL 94 V-0
Flammability Classification
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Easy to Mount
? Space Savings
BV DSX
V GS = - 5V, I D = 250 μ A
500
V
? High Power Density
V GS(off)
V DS = 25V, I D = 250 μ A
- 2.0
- 4.0
V
I GSX
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
Applications
I DSX(off)
R DS(on)
I D(on)
V DS = V DSX , V GS = - 5V
V GS = 0V, I D = 1.5A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, Note 1
T J = 125 ° C
3
5 μ A
50 μ A
1.5 Ω
A
?
?
?
?
?
?
Audio Amplifiers
Start-up Circuits
Protection Circuits
Ramp Generators
Current Regulators
Active Loads
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100148B(12/09)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTA3N60P MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
IXTA48N20T MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
IXTA50N25T MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
IXTA5N60P MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
IXTA60N10T MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
IXTA6N50D2 MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
IXTA6N50P MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
IXTA70N075T2 MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
相关代理商/技术参数
IXTA3N50P 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA42N25P 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA44N15T 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA44N25T 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA44N30T 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA44P15T 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA44P15TTRL 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 150V 44A TO-263